PREFIX cc: PREFIX dc: PREFIX dcat: PREFIX dcterms: PREFIX dqv: PREFIX edm: PREFIX foaf: PREFIX geo: PREFIX geosparql: PREFIX gn: PREFIX gndo: PREFIX jl: PREFIX jld: PREFIX jlo: PREFIX oa: PREFIX owl: PREFIX prov: PREFIX rdf: PREFIX rdfs: PREFIX schema: PREFIX skos: PREFIX spdx: PREFIX void: PREFIX wd: PREFIX wdt: PREFIX xml: PREFIX xsd: rdf:type foaf:Person; rdfs:seeAlso ; jlo:hasAbstract "ВУЛ Бенцион Моисеевич (1903, Белая Церковь Киевской губ. – 1985, Москва), физик. Ч.-к. (1939), д. ч. АН СССР (1972). Герой Соц. Труда (1969). Окончил Киевский политехи, ин-т (1928). С 1932 работает в Физ. ин-те АН СССР (с 1933 рук. лаб. физики диэлектриков, ныне – лаб. полупроводников). С 1951 – чл. гл. ред. Большой Сов. энциклопедии.Осн. тр. поев, физике диэлектриков и полупроводников. Исследуя электрич. прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя диэлектриков (последовательный пробой), установил природу краевого эффекта при пробое тв. диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях. Открыл и исследовал сегнетоэлектрич св-ва титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков, широко используемых в совр. технике. За эту работу ему была присуждена Стал. пр. (1946). В 1948 начал иссл. по физике полупроводников. Под его рук. разрабатывались первые полупроводниковые диоды, транзисторы и солнечные элементы. Дальнейшие иссл. в обл. фотоэлектрич. явлений привели к созд. кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил использовать в качестве нелинейных конденсаторов р-п-пе-реходы в полупроводниках. При непосредственном участии В. в 1963 в СССР были созданы первые полупроводниковые лазеры, за что в 1964 ему была присуждена Лен. пр."@ru , "VUL Bentsion Moiseevich (1903, Belaya Tserkov, Provinz Kiew - 1985, Moskau), Physiker. Ch.-c. (1939), Doktor der Wissenschaftsakademie der UdSSR (1972). Held von Soc. Arbeit (1969). Abschluss am Kiewer Polytechnischen Institut (1928). Seit 1932 arbeitet er in Phys. Institut der Akademie der Wissenschaften der UdSSR (seit 1933 Leiter des Labors für Physik der Dielektrika, heute - des Labors für Halbleiter). Seit 1951 - Mitglied. CH. ed. Große Eule. Enzyklopädien. tr. nach dem Essen Physik von Dielektrika und Halbleitern. Die Elektrik erkunden. Die Stärke der Dielektrika, die eine neue Form des dielektrischen Durchbruchs (sequentieller Durchbruch) entdeckte, begründete die Art des Kanteneffekts beim Durchbruch des Festkörpers. Dielektrika und Merkmale des Abbaus komprimierter Gase in stark inhomogenen Feldern. Entdeckte und untersuchte das Ferroelektrikum von St. va titanate barium (1944), das den Beginn der Schaffung einer neuen Klasse von Dielektrika markierte, die in der Neuzeit weit verbreitet ist. Technik. Für diese Arbeit wurde er mit dem Stahl ausgezeichnet. pr. (1946). 1948 begann er zu forschen. zur Physik von Halbleitern. Unter seinen Armen. Die ersten Halbleiterdioden, Transistoren und Solarzellen wurden entwickelt. Weitere Studien in der Region. fotoelektrisch Phänomene führten zur Schöpfung. Siliziumsolarzellen. Er schuf einen Diffusionstransistor und schlug vor, pn-Übergänge in Halbleitern als nichtlineare Kondensatoren zu verwenden. Mit der direkten Beteiligung von V. an der UdSSR im Jahr 1963 wurden die ersten Halbleiterlaser geschaffen, für die Len ihn 1964 erhielt. etc."@de , "VUL Bentsion Moiseevich (1903, Belaya Tserkov, Kiev province - 1985, Moscow), physicist. Ch.-c. (1939), Doctor of Science Academy of Sciences of the USSR (1972). Hero of Soc. Labor (1969). Graduated from the Kiev Polytechnic Institute (1928). Since 1932 he has been working in Phys. Institute of the Academy of Sciences of the USSR (since 1933 head of the laboratory of physics of dielectrics, now - of the laboratory of semiconductors). Since 1951 - member. ch. ed. Big Owl encyclopedias. tr. after eating, physics of dielectrics and semiconductors. Exploring the electric. the strength of dielectrics, discovered a new form of dielectric breakdown (sequential breakdown), established the nature of the edge effect in the breakdown of solid. dielectrics and features of the breakdown of compressed gases in sharply inhomogeneous fields. Discovered and investigated the ferroelectric of St. va titanate of barium (1944), which marked the beginning of the creation of a new class of dielectrics, widely used in modern times. technique. For this work he was awarded the Stahl. pr. (1946). In 1948 he began research. on physics of semiconductors. Under his arms. the first semiconductor diodes, transistors and solar cells were developed. Further studies in the region. photoelectric phenomena led to the creation. silicon solar cells. He created a diffusion transistor and proposed to use p-n-junctions in semiconductors as nonlinear capacitors. With the direct participation of V. in 1963 in the USSR, the first semiconductor lasers were created, for which Len was awarded to him in 1964. etc."@en; jlo:sameAs ; skos:altLabel "ВУЛ Бенцион Моисеевич"; skos:prefLabel "VUL Bentsion Moiseevich"@en , "VUL Bentsion Moiseevich"@de , "VUL Bentsion Moiseevich" .