GARBUZOV Dmitry Zalmanovich
Person · http://data.judaicalink.org/data/ep/1540857
Also known as (1 names)
- –
- ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович
GARBUZOV Dmitry Zalmanovich (* 1940), Physiker, Ph.D. RAS (1991). Absolvierte Leningrad. un-t (1962). Arbeitet in Leningrad. physisch und technisch in-denen sie. A. F. Ioffe, Akademie der Wissenschaften der UdSSR (seit 1964 Abteilungsleiter). wissenschaftlich. Interessen - Physik TV. Körper, insbesondere Halbleiter. Entwickelte die Theorie der Halbleiter-Heterostrukturen. Er schlug eine neue Methode für die Flüssigphasenepitaxie vor. Der Autor einer Vielzahl von wissenschaftlichen. Kunst. Leinen. pr. Staat. pr. UdSSR.
GARBUZOV Dmitry Zalmanovich (b. 1940), physicist, Ph.D. RAS (1991). Graduated from Leningrad. un-t (1962). Works in Leningrad. physical and technical in-those them. A.F. Ioffe, USSR Academy of Sciences (since 1964 head of the department). scientific. interests - physics tv. body, in particular semiconductors. Developed the theory of semiconductor heterostructures. He proposed a new method for liquid phase epitaxy. The author of a large number of scientific. Art. Linen. pr. State. pr. USSR.
ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович (р. 1940), физик, ч.-к. РАН (1991). Окончил Ленингр. ун-т (1962). Работает в Ленингр. физ.-техн. ин-те им. А.Ф.Иоффе АН СССР (с 1964 зав. отд).Обл. науч. интересов – физика тв. тела, в частности полупроводников. Разрабатывал теорию полупроводниковых гетероструктур. Предложил новый метод жидкофазной эпитаксии. Автор большого числа науч. ст. Лен. пр. Гос. пр. СССР.
Sources (1)
ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович
7 statements
- described at
- http://rujen.ru/index.php/%D0%B3%D0%B0%D1%80%D0%B1%D1%83%D0%B7%D0%BE%D0%B2_%D0%B4%D0%BC%D0%B8%D1%82%D1%80%D0%B8%D0%B9_%D0%B7%D0%B0%D0%BB%D0%BC%D0%B0%D0%BD%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87
- has abstract
- GARBUZOV Dmitry Zalmanovich (* 1940), Physiker, Ph.D. RAS (1991). Absolvierte Leningrad. un-t (1962). Arbeitet in Leningrad. physisch und technisch in-denen sie. A. F. Ioffe, Akademie der Wissenschaften der UdSSR (seit 1964 Abteilungsleiter). wissenschaftlich. Interessen - Physik TV. Körper, insbesondere Halbleiter. Entwickelte die Theorie der Halbleiter-Heterostrukturen. Er schlug eine neue Methode für die Flüssigphasenepitaxie vor. Der Autor einer Vielzahl von wissenschaftlichen. Kunst. Leinen. pr. Staat. pr. UdSSR.
- has abstract
- GARBUZOV Dmitry Zalmanovich (b. 1940), physicist, Ph.D. RAS (1991). Graduated from Leningrad. un-t (1962). Works in Leningrad. physical and technical in-those them. A.F. Ioffe, USSR Academy of Sciences (since 1964 head of the department). scientific. interests - physics tv. body, in particular semiconductors. Developed the theory of semiconductor heterostructures. He proposed a new method for liquid phase epitaxy. The author of a large number of scientific. Art. Linen. pr. State. pr. USSR.
- has abstract
- ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович (р. 1940), физик, ч.-к. РАН (1991). Окончил Ленингр. ун-т (1962). Работает в Ленингр. физ.-техн. ин-те им. А.Ф.Иоффе АН СССР (с 1964 зав. отд).Обл. науч. интересов – физика тв. тела, в частности полупроводников. Разрабатывал теорию полупроводниковых гетероструктур. Предложил новый метод жидкофазной эпитаксии. Автор большого числа науч. ст. Лен. пр. Гос. пр. СССР.
- dcterms:identifier
- гарбузов_дмитрий_залманович
- skos:prefLabel
- GARBUZOV Dmitry Zalmanovich
- skos:prefLabel
- ГАРБУЗОВ Дмитрий Залманович