Graph search · entity page

ADIROVICH Emmanuil Ilyich

Person · http://data.judaicalink.org/data/ep/1091108

ADIROVICH Emmanuil Ilyich (1915, Melitopol - 1973, Taschkent), theoretischer Physiker. Acad. Akademie der Wissenschaften der UdSSR (1962). Abschluss in Moskau. un-t (1940). In den Jahren 1940 bis 1962 arbeitete er bei Phys. in denen der Akademie der Wissenschaften der UdSSR, wo er seine Doktrin verteidigte. dis. unter den Händen. S. I. Vavilov (1949). Seit 1962 Hand. von ihm geschaffen. Physik der Halbleiter Phys.-tech. in-ta ihnen. S. V. Starodubtseva von der Akademie der Wissenschaften der usbekischen SSR in Taschkent. Interessen - Physik TV. Körper und Halbleiter. Einer der Begründer der Bandentheorie der Kristalllumineszenz, auf deren Grundlage er zunächst das Problem der nicht strahlenden elektronischen Übergänge in Festkörpern löste, sagte das Phänomen des "Kaltblitzes" voraus und entdeckte es. Er etablierte das Gesetz der elektronischen Polarisation und Depolarisation von Photoelektreten, berechnete die Verteilung von Heteroaufladung und Feld, entwickelte eine allgemeine Theorie des Photoelektretenzustands und zeigte das Prinzip, die Möglichkeit, ein Photoelektret ohne externe zu erzeugen. polarisierende Null. Er zeigte die Möglichkeit der Existenz von Exzitonen eines neuen Typs auf, die es ermöglichten, den Mechanismus der schnellen Polarisation bei niedriger Temperatur aufzudecken. Er legte (gemeinsam mit anderen) den Grundstein für die Optoelektronik (entwickelte die Theorie der Optokoppler und Optokoppler, entdeckte den Effekt anomal hoher Photospannungen und photomagnetischer Spannungen in Halbleiterfilmen; entwickelte optoelektronische Methoden zur Korrelationsverarbeitung großer Informationsmengen). Einer der Gründer des Dielektrikums. Elektronik, entschied eine Reihe von Fonds. Aufgaben in diesem Bereich entwickelt und erforscht. Dielektrikum Diodenstrukturen auf Basis dünner hochohmiger Einkristalle. Schichten aus Silizium, Galliumarsenid und Siliziumkarbid. Erstellt die Taschkent School of Physics and Electronics TV. Tel. Der Autor von St. 200 wissenschaftliche. Arbeiten: Nek-ry Fragen der Lumineszenztheorie von Kristallen, Moskau-Leningrad, 1951; M., 1956; Doppelte Injektionsströme in Halbleitern, M., 1978 (in Koautorschaft); Photovoltaik Phänomene in Halbleitern und Optoelektronik, Taschkent, 1972 (in Koautorschaft).

ADIROVICH Emmanuil Ilyich (1915, Melitopol - 1973, Tashkent), theoretical physicist. Acad. Academy of Sciences of the UzSSR (1962). Graduated from Moscow. un-t (1940). In 1940–62 he worked at Phys. in-those of the USSR Academy of Sciences, where he defended his doct. dis. under the hands. S.I. Vavilov (1949). Since 1962 hand. created by him. physics of semiconductors Phys.-tech. in-ta them. S.V. Starodubtseva of the Academy of Sciences of the Uzbek SSR in Tashkent. interests - physics tv. body and semiconductors. One of the founders of the band theory of luminescence of crystals, on the basis of which he first solved the problem of nonradiative electronic transitions in solids, predicted and discovered the phenomenon of "cold flash". He established the law of electronic polarization and depolarization of photoelectrets, calculated the distribution of heterocharge and field, developed a general theory of the photoelectret state and showed the principle, the possibility of creating a photoelectret without external. polarizing zero. He showed the possibility of the existence of excitons of a new type, which made it possible to reveal the mechanism of fast low-temperature polarization. He laid (jointly with others) the foundations of optoelectronics (developed the theory of optocouplers and optocouplers, discovered the effect of anomalously high photovoltages and photomagnetic voltages in semiconductor films; developed optoelectronic methods of correlation processing of large amounts of information). One of the founders of dielectric. electronics, decided a number of funds. tasks in this area, developed and researched. dielectric diode structures based on thin high-resistance monocrystalline. layers of silicon, gallium arsenide and silicon carbide. Created the Tashkent School of Physics and Electronics TV. Tel. The author of St. 200 scientific. works: Nek-ry questions of the theory of luminescence of crystals, Moscow-Leningrad, 1951; M., 1956; Double injection currents in semiconductors, M., 1978 (in co-authorship); Photovoltaic phenomena in semiconductors and optoelectronics, Tashkent, 1972 (in co-authorship).

АДИРОВИЧ Эммануил Ильич (1915, Мелитополь – 1973, Ташкент), физик-теоретик. Акад. АН УзССР (1962). Окончил Моск. ун-т (1940). В 1940–62 работал в Физ. ин-те АН СССР, где защитил докт. дис. под рук. С.И.Вавилова (1949). С 1962 рук. созданного им отд. физики полупроводников Физ.-техн. ин-та им. С.В.Стародубцева АН УзССР в Ташкенте.Область науч. интересов – физика тв. тела и полупроводников. Один из основателей зонной теории люминесценции кристаллов, на основе к-рой впервые решил проблему безызлучательных электронных переходов в твердах телах, предсказал и открыл явление «холодной вспышки». Установил закон электронной поляризации и деполяризации фотоэлектретов, рассчитал распределение гетерозаряда и поля, развил общую теорию фотоэлектретного состояния и показал принцип, возможность создания фотоэлектрета без внеш. поляризующего ноля. Показал возможность существования экситонов нового типа, что позволило раскрыть механизм быстрой низкотемпературной поляризации. Заложил (совм. с др.) основы оптоэлектроники (развил теорию оптронов и оптронных цепей, открыл эффект аномально больших фотонапряжений и фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках; развил оптоэлектронные методы корреляционной обработки больших, массивов информации). Один из основателей диэлектрич. электроники, решил ряд фундам. задач в этой области, разработал и иссл. диэлектрич. диодные структуры на основе тонких высокоомных монокристаллич. слоев кремния, арсенида галлия и карбида кремния. Создал Ташкентскую школу физики и электроники тв. тел. Автор св. 200 науч. работ.Соч.: Нек-рые вопросы теории люминесценции кристаллов, М.-Л., 1951; М., 1956; Токи двойной инжекции в полупроводниках, М., 1978 (в соавт.); Фотоэлектрич. явления в полупроводниках и оптоэлектроника, Ташкент, 1972 (в соавт.).

Sources (1)

As data: Turtle · N-Triples · JSON-LD · SPARQL · in production: data.judaicalink.org